高溫動態(tài)反偏老化測試系統(DHTRB2000)

該系統針對SiC MOSFET進行動態(tài)反偏老化測試，測試方法參考AQG324。每個試驗區(qū)域可進行最高12個工位的測試，工位具備獨立脈沖源配置。可為器件提供+10°C-175°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能，可自動將故障器件脫離老化試驗回路，不影響其他器件的正常試驗。

試驗溫度	室溫+10°C~175°C (熱板形式加熱）
老化測試區(qū)	8區(qū)(可擴容)
單區(qū)工位	12 (典型)
試驗方法	主動式：Vgs = Vgs off被動式：Vgs，off = VGS，min and VGS，on = VGS，max
電壓范圍	50V~1500V
電壓精度	1.脈沖頻率(方波):5KHZ~200kHz;精度:2%±2LSB 2.方波占空比20%~80%;精度:±2% 3.電壓上升率(Dv/Dt) ≥50V/ns 4.電壓過沖<15%
脈沖控制	1.脈沖頻率(方波):5kHz~200kHz;精度:2%±2LSB 2.方波占空比20%~80%;精度:±2% 3.電壓上升率 (Dv/Dt) ≥50V/ns 4.電壓過沖<15%
VGS電壓測控范圍	-0.7V~-22V/0V
漏電流檢測	檢測范圍:100nA~30mA 精度: 第一檔0.1uA~1mA 分辨率0.1uA 漏電流測量誤差:1%±2LSB 第二檔1mA~30mA 分辨率1uA 漏電流測量誤差:1%±2LSB
整機供電	三相AC380V±38V
整機重量	700KG(典型)
整機尺寸(典型)	800mm(W) x 1400mm(D) x 1950mm(H)

AEC-Q102 AOG324

適用于二極管、三極管、MOSFET管、達林頓管、可控硅等，SIC、GAN、SCR等